ESPECIFICACIONES:
Configuración dirigida: Nivel bajo
Tipo de canal: Simple
Cantidad de controladores: 1
Tipo de compuerta: MOSFET de canal N, canal P
Voltaje de la fuente: 4.5 V ~ 18 V
Corriente - salida pico (fuente, disipación): 6 A
Tipo de entrada: No inversor
Tiempo de subida/bajada: 25 ns
Temperatura de funcionamiento: -40 C ~ 150 C (TJ)
Tipo de montaje: Th
Encapsulado: 8-PDIP
DOCUMENTOS:
ICIPTN0010018
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