ESPECIFICACIONES:
Configuración dirigida: Medio puente
Tipo de canal: Sincrónico
Cantidad de controladores: 2
Tipo de compuerta: IGBT, MOSFET de canal N
Corriente - salida pico (fuente, disipación): 200 mA, 350 mA
Tipo de entrada: No inversor
Voltaje de la fuente: 10 V ~ 20 V
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador): 600 V
Tiempo de subida/bajada: 150 ns, 50 ns
Temperatura de funcionamiento: -40 C ~ 150 C (TJ)
Tipo de montaje: TH
Encapsulado: 8-PDIP
DOCUMENTOS:
ICIPTN0010037
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