ESPECIFICACIONES:
Tipo de transistor: NPN
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 500 mA
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.): 45 V
Potencia - Máx.: 200 mW
Temperatura de funcionamiento: 150 C
Tipo de montaje: SMD
Encapsulado: TO-236AB
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010037
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