Transistor MOSFET canal N 2SK3018 SMD

ESPECIFICACIONES:

Tipo FET: Canal N

Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V

Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC: 100 mA

Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 2.5V

Rds On (máx) @ Id, Vgs: 8 Ohm a 10 mA, 4 V

Disipación de potencia (Máx.): 200 mW

Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C

Tipo de montaje: SMD

Encapsulado: SOT-323

DOCUMENTOS:

Información Técnica