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IRF8707 PBF

IDSTRN0010051

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MOSFET N-CH 30 V 11 A 8SO

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ESPECIFICACIONES:

  • Tipo FET: Canal N

  • Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

  • Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V

  • Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 11 A

  • Vgs (máx.): ±20 V

  • Disipación de potencia (Máx.): 2.5 W

  • Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C

  • Tipo de montaje: SMD

  • Encapsulado: 8-SOIC

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