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Transistor NPN J13009

IDSTRN0010054

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Transistor NPN J13009

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ESPECIFICACIONES:

  • Paquete / Cubierta: TO-220-3

  • Polaridad del transistor: NPN

  • Máx. Voltaje VCEO colector-emisor: 400 V

  • Tensión VCBO colector-base: 700 V

  • Voltaje VEBO emisor-base: 9 V

  • Voltaje de saturación colector-emisor: 1 V

  • Corriente CC máxima de colector: 12 A

  • Producto para ganar Ancho de banda fT: 4 MHz

  • Temperatura de trabajo: - 65 C+150C

  • Corriente continua del colector: 12 A

  • Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima: 8

  • Dp - Disipación de potencia : 12 W

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