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Transistor MOSFET IPP114N12N3GXKSA1 Ver más grande

Transistor MOSFET IPP114N12N3GXKSA1 - 114N12N

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MOSFET N-CH 120 V 75 A TO220-3

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ESPECIFICACIONES:

  • Tipo FET: Canal N

  • Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

  • Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 120 V

  • Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 75 A

  • Vgs (máx.): ±20 V

  • Disipación de potencia (Máx.): 136 W

  • Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C

  • Tipo de montaje: TH

  • Encapsulado: TO-220-3

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos