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Transistor MOSFET NPN 4506GEH SMD
IDSTRN0010097
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Transistor MOSFET NPN 4506GEH SMD
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Más información
ESPECIFICACIONES:
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Disipación total del dispositivo (Pd): 3.1 W
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Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
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Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
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Corriente continua de drenaje (Id): 9 A
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Temperatura operativa máxima (Tj): 150 C
