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MOSFET Canal N IRLL014NTRPBF
IDSTRN0010111
Nuevo producto
MOSFET N-CH 55 V 2 A SOT223
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Más información
ESPECIFICACIONES:
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Tipo FET: Canal N
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Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55 V
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Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 2 A
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Vgs (máx.): ±16 V
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Disipación de potencia (Máx.): 1 W
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Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C
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Tipo de montaje: SMD
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Encapsulado: SOT-223
DOCUMENTOS:
Información Técnica
Conceptos Básicos
