Transistor MOSFET NTD4909NT4G Canal N 30V 41A Ver más grande

Transistor MOSFET NTD4909NT4G Canal N 30 V 41 A

IDSTRN0010116

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MOSFET N-CH 30 V 8.8 A/41 A DPAK

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ESPECIFICACIONES:

  • Tipo FET: Canal  N

  • Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

  • Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V

  • Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 8.8 A

  • Vgs (máx.): ±20 V

  • Disipación de potencia (Máx.): 1.37 W

  • Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C

  • Tipo de montaje: SMD

  • Encapsulado: DPAK

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos