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Transistor MOSFET canal N 2SK3018 SMD
IDSTRN0010129
Nuevo producto
Canal N Montaje en superficie 30 V 100 mA (Ta) 200 mW (Ta) SOT-323
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Más información
ESPECIFICACIONES:
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Tipo FET: Canal N
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Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
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Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC: 100 mA
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Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 2.5V
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Rds On (máx) @ Id, Vgs: 8 Ohm a 10 mA, 4 V
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Disipación de potencia (Máx.): 200 mW
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Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C
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Tipo de montaje: SMD
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Encapsulado: SOT-323
DOCUMENTOS:
Información Técnica
