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Transistor NPN S8050 Th

IDSTRN0010134

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Transistor Bipolar (BJT) NPN diseñado para operar como amplificador de audio.

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ESPECIFICACIONES:

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN

  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio

  • IC: 500 mA

  • PD: 625 mW

  • VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V

  • hFE: 160 a 300 (Ranking D)

  • FT: 150 MHz mínimo

  • VCE(sat): 0.6 V max.

  • Encapsulado: TO-92

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos