Transistor NPN S8050 Th Ver más grande

Transistor IRF520PBF Mosfet TO220 CH N 100 V 9.2 A

IDSTRN0010135

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Transistor mosfet IRF520 de poder que proporciona al diseñador  la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de dispositivos para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad.

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ESPECIFICACIONES:

  • Polaridad del transistor: Canal N

  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V

  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V

  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 9.2 A

  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 37 A

  • Corriente de avalancha IAR: 9.2 A

  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 60 W

  • Resistencia de activación RDS (on) máxima: 0.27 Ohms

  • Temperatura de operación mínima: -55 C

  • Temperatura de operación máxima: 175 C

  • Encapsulado: TO-220

DOCUMENTOS:

Información Técnica