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BC725

IDSTRN0010033

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 45 V 800 mA HFE/160-400

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Más información

ESPECIFICACIONES:

  • Máx. Voltaje VCEO colector-emisor: - 45 V

  • Voltaje VEBO emisor-base: - 5 V

  • Voltaje de saturación colector-emisor: - 700 mV

  • Corriente CC máxima de colector: - 800 mA

  • Dp - Disipación de potencia: 625 mW

  • Producto para ganar Ancho de banda fT: 100 MHz

  • Temperatura de trabajo: - 55 C+150 C

  • Estilo de montaje: TH

  • Polaridad del transistor: PNP

  • Encapsulado: TO-92-3 

DOCUMENTOS:

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