ESPECIFICACIONES:
Tipo FET: Canal N
Tecnología: Mosfet (Óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 400 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 10 A
Vgs (máx.): ±20 V
Disipación de potencia (Máx.): 125W
Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C
Tipo de montaje: TH
Encapsulado: TO-220AB
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010038
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