ESPECIFICACIONES:
Tipo FET: Canal P
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 4 A
Vgs (máx.): ±20 V
Disipación de potencia (Máx.): 43 W
Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C
Tipo de montaje: TH
Encapsulado: TO-220AB
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010039
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