ESPECIFICACIONES:
Tipo de salida: NPN Fototransistor
Número de canales: 1 Canal
If - Corriente directa: 30 mA
Máximo voltaje colector-emisor: 70 V
Corriente máxima de colector: 30 mA
Voltaje de aislamiento: 5000 Vrms
Máximo voltaje de saturación colector-emisor: 0.3 V
Vf - Tensión directa: 1.4 V
Vr - Tensión inversa: 6 V
Dp - Disipación de potencia: 150 mW
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 100 C
Encapsulado: DIP-4
DOCUMENTOS:
ICIPTN0010057
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