IRF8707 PBF
$26.00
IVA incluido
MOSFET N-CH 30 V 11 A 8SO
ESPECIFICACIONES:
Tipo FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 11 A
Vgs (máx.): ±20 V
Disipación de potencia (Máx.): 2.5W
Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C
Tipo de montaje: SMD
Encapsulado: 8-SOIC
DOCUMENTOS:
Información Técnica
Conceptos Básicos
IDSTRN0010051
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MOSFET N-CH 30 V 11 A 8SO