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Transistor Mosfet canal P SMD FQB11P06
$30.00
IVA incluido
MOSFETP-CH 60 V 11.4 A D2PAK
ESPECIFICACIONES:
Tipo FET: Canal P
TECNOLOGÍA: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 11.4 A
Vgs (máx.): ±25V
Disipación de potencia (Máx.): 3.13 W, 53 W
Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C
Tipo de montaje: SMD
Encapsulado: D2PAK
DOCUMENTOS:
Información Técnica
Conceptos Básicos
IDSTRN0010057
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MOSFETP-CH 60 V 11.4 A D2PAK