ESPECIFICACIONES:
Tipo FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 200 mA
Vgs (máx.): ±18 V
Disipación de potencia (Máx.) 350 mW
Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C
Tipo de montaje: SMD
Encapsulado: SOT-23-3
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010067
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