ESPECIFICACIONES:
Tipo FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC: 58 A
Vgs (máx.): ±20 V
Disipación de potencia (Máx.): 85W
Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C
Tipo de montaje: SMD
Encapsulado: LFPAK56
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010098
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