ESPECIFICACIONES:
Tipo FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C 55 A
Vgs (máx.): ±16 V
Disipación de potencia (Máx.): 107 W
Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C
Tipo de montaje: SMD
Encapsulado: DPaK
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010110
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