ESPECIFICACIONES:
Tipo FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 500 mA
Vgs (máx.): ±20 V
Disipación de potencia (Máx.): 830 mW
Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C
Tipo de montaje: TH
Encapsulado: TO-92-3
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010114
41 Artículos