ESPECIFICACIONES:
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V
Id - Corriente de drenaje continua: 20 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 18 VCD, + 18 VCD
Dp - Disipación de potencia: 60 W
Temperatura de trabajo: - 55 C a 175 C
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010138
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