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Transistor Mosfet canal P SMD FQB11P06

IDSTRN0010057

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MOSFETP-CH 60 V 11.4 A D2PAK

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ESPECIFICACIONES:

  • Tipo FET: Canal P

  • TECNOLOGÍA: MOSFET (óxido de metal)

  • Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V

  • Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 11.4 A

  • Vgs (máx.): ±25V

  • Disipación de potencia (Máx.): 3.13 W, 53 W

  • Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C

  • Tipo de montaje: SMD

  • Encapsulado: D2PAK

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