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Transistor MOSFET canal N BS170-D75Z
IDSTRN0010114
Nuevo producto
MOSFET N-CH 60 V 500 mA TO92-3
41 Artículos
Más información
ESPECIFICACIONES:
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Tipo FET: Canal N
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Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
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Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 500 mA
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Vgs (máx.): ±20 V
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Disipación de potencia (Máx.): 830 mW
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Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C
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Tipo de montaje: TH
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Encapsulado: TO-92-3
DOCUMENTOS:
Información Técnica
Conceptos Básicos
