J113 JFET Canal N
$18.00
IVA incluido
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión
ESPECIFICACIONES:
Canal: N
Encapsulado: TO-92
Voltaje VGS: -35V
Voltaje de corte Gate-Source: -3V
Potencia de disipación: 625mW
temperatura de trabajo: -55C a 150C
IDSTRN0010143
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