Transistor IGBT IKW30N60H3 600V 3A
$150.00
IVA incluido
Transistor IGBT IKW30N60H3 600V 3A
ESPECIFICACIONES:
Paquete / Cubierta: TO-247-3
Estilo de montaje: Through Hole
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 600V
Voltaje de saturación colector-emisor: 1.95V
Máximo voltaje puerta-emisor: -20V, 20V
Dp - Disipación de potencia: 187W
Temperatura de trabajo: -40C a 175C
IDSTRN0010148
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Transistor IGBT IKW30N60H3 600V 3A