IRL540PBF MOSFET Canal N 100 V 28 A

ESPECIFICACIONES:

• Transistor, Polaridad: Canal N

• Intensidad Drenador Continua Id: 28 A

• Voltaje de Drenaje-Fuente Vds: 100 V

• Resistencia de Activación Rds(on): 0.077 ohm

• Tensión Vgs de Medición Rds(on): 5 V

• Montaje de Transistor: Th

• Tensión Umbral Vgs: 2 V

• Disipación de Potencia Pd: 150 W

• Diseño de Transistor: TO-220

• Núm. de Contactos: 3 Pines

• Temperatura de Trabajo Máx.: 175 C

DOCUMENTOS:

Información Técnica