ESPECIFICACIONES:
TIPO FET: Canal N
Tecnología: MOSTEF (Óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 33 A
Vgs (máx.):±20 V
Disipación de potencia (Máx.): 75W
Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C
Tipo de montaje: TH
Encapsulado: TO-220-3
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010003
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