ESPECIFICACIONES:
Tipo FET: Canal N
Tecnología: Mosfet (Óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55 V
Corriente - consumo continúo (Id) a 25 C: 110 A
Vgs (máx.): ±20V
Disipación de potencia (Máx.): 200 W
Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C
Tipo de montaje: TH
Encapsulado: TO-220
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010024
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