ESPECIFICACIONES:
Máx. Voltaje VCEO colector-emisor: - 45 V
Voltaje VEBO emisor-base: - 5 V
Voltaje de saturación colector-emisor: - 700 mV
Corriente CC máxima de colector: - 800 mA
Dp - Disipación de potencia: 625 mW
Producto para ganar Ancho de banda fT: 100 MHz
Temperatura de trabajo: - 55 C+150 C
Estilo de montaje: TH
Polaridad del transistor: PNP
Encapsulado: TO-92-3
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010033
30 Artículos