Estos potenciómetros son perfectos para la creación de prototipos y...
Con la Matriz de 16x8 se duplica la capacidad de la matriz de su...
Este medidor de panel muestra la temperatura del termistor impermeable...
Convertidor serie USB a RS232/485, chip FT232RNL original integrado,...
fuentes RSS
No se han añadido fuentes RSS
Mosfet de potencia canal N BSP320SH6327XTSA1
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple PNP 45 V 500 mA 100 MHz 310 mW Montaje en superficie SOT-23-3
Transistor S8050 J3Y bipolar epitaxial de silicio. Transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia.
El IRL540PBF es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia de encendido.
Canal N Montaje en superficie 30 V 100 mA (Ta) 200 mW (Ta) SOT-323
Canal P Montaje en superficie 30 V 4 A (Ta) 1.4W (Ta) SOT-23-3
Conjunto de transistores bipolares (BJT) NPN, PNP 50 V 150 mA 100 MHz, 190 MHz 300 mW Montaje en superficie 6-TSSOP
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BC857B/SOT23/TO-236AB