Transistor IGBT IGP06N60T

ESPECIFICACIONES:

• Tipo IGBT: Parada de campo de trinchera

• Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.): 600 V

• Corriente - Colector (Ic) (Máx.):12 A

• Potencia – Máx.: 88 W

• Temperatura de funcionamiento: -40 C ~ 175 C

• Tipo de montaje: TH

• Encapsulado: TO-220-3

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos