ESPECIFICACIONES:
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Tipo FET: Canal N
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Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
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Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 200 mA
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Vgs (máx.): ±18 V
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Disipación de potencia (Máx.) 350 mW
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Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C
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Tipo de montaje: SMD
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Encapsulado: SOT-23-3
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010067
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