ESPECIFICACIONES:
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Tipo de transistor: NPN
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Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 800 mA
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Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.): 30 V
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Potencia - Máx.: 500 mW
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Temperatura de funcionamiento: -65 C ~ 200 C
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Tipo de montaje: TH
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Encapsulado: TO-18
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010075
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