Transistor MOSFET IPP114N12N3GXKSA1 - 114N12N

ESPECIFICACIONES:

• Tipo FET: Canal N

• Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 120 V

• Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 75 A

• Vgs (máx.): ±20 V

• Disipación de potencia (Máx.): 136 W

• Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C
  

• Tipo de montaje: TH
  

• Encapsulado: TO-220-3

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos