ESPECIFICACIONES:
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Polaridad del transistor: Canal P
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Número de canales: 1 Canal
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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 30 V
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Id - Corriente de drenaje continua: 5.3 A
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Temperatura de trabajo: -55 a 150 C
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010124
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