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IRF1405PBF MOSFET de Potencia Canal N 55V 169A TO-220
$75.00
El IRF1405PBF es un transistor de potencia de efecto de campo (MOSFET) de canal N con tecnologia avanzada HEXFET, diseñado especificamente para aplicaciones de alta corriente que requieren un rendimiento de conmutacion extremadamente rapido y una resistencia en encendido ultra baja. Este componente soporta un voltaje maximo de drenaje a fuente de 55V y una capacidad de corriente continua de hasta 169A.
Especificaciones:
- Numero de parte del fabricante: IRF1405PBF
- Polaridad del transistor: Canal N
- Tecnologia: MOSFET (Metal Oxido Semiconductor)
- Voltaje drenaje-fuente maximo (Vdss): 55V
- Corriente de drenaje continua maxima (Id a 25 grados C): 169A
- Resistencia en encendido maxima (Rds On): 5.3 mOhm (a 10V Vgs)
- Voltaje maximo de compuerta a fuente (Vgs): mas o menos 20V
- Voltaje de umbral de compuerta maximo (Vgs th): 4V
- Disipacion de potencia maxima (Pd): 330W
- Carga de compuerta maxima (Qg): 260nC
- Capacitacion de entrada tipica (Ciss): 5480pF
- Tipo de montaje: Insercion / Agujero pasante (THT)
- Tipo de empaque: TO-220AB (TO-220-3)
- Conectores / Pines: 3 pines (Compuerta, Drenaje, Fuente)
- Temperatura de operacion de la union: -55 grados a 175 grados Celsius
IDSTRN0010153
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