ESPECIFICACIONES:
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Configuración dirigida: Nivel bajo
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Tipo de canal: Simple
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Cantidad de controladores: 1
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Tipo de compuerta: MOSFET de canal N, canal P
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Voltaje de la fuente: 4.5 V ~ 18 V
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Corriente - salida pico (fuente, disipación): 6A, 6A
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Tipo de entrada: No inversor
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Tiempo de subida/bajada: 25 ns, 25 ns
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Temperatura de funcionamiento: 0 C ~ 150 C (TJ)
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Tipo de montaje: Montaje en superficie
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Encapsulado: 8SOIC
DOCUMENTOS:
ICIPTN0010019
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