IRF640 Mosfet Canal N 200 V 18 A

ESPECIFICACIONES:

• Tipo FET: Canal N

• Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200 V

• Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 18 A

• Vgs (máx.): ±20 V

• Disipación de potencia (Máx.): 125 W

• Temperatura de funcionamiento: 150 C

• Tipo de montaje: TH

• Encapsulado: TO-220

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos