IRF9510PBF Mosfet Canal P

ESPECIFICACIONES:

• Tipo FET: Canal P

• Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V

• Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 4 A

• Vgs (máx.): ±20 V

• Disipación de potencia (Máx.): 43 W

• Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C

• Tipo de montaje: TH

• Encapsulado: TO-220AB

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos