Transistor IGBT 60 A1200 V IXEN60N120

ESPECIFICACIONES:

• Tipo IGBT: NPN

• Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.): 1200 V

• Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 60 A

• Potencia – Máx.: 445 W

• Entrada: Estándar

• Temperatura de funcionamiento: -40 C ~ 150 C

• Tipo de montaje: Montaje de chasis

• Encapsulado: SOT-227B

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos