Transistor MOSFET canal N 2SK3018 SMD

ESPECIFICACIONES:

• Tipo FET: Canal N

• Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V

• Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC: 100 mA

• Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 2.5V

• Rds On (máx) @ Id, Vgs: 8 Ohm a 10 mA, 4 V

• Disipación de potencia (Máx.): 200 mW

• Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C

• Tipo de montaje: SMD

• Encapsulado: SOT-323

DOCUMENTOS:

Información Técnica