Transistor MOSFET canal P AO3401 SMD

ESPECIFICACIONES:

• Tipo FET: Canal P

• Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V

• Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 4 A

• Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 2.5 V, 10 V

• Rds On (máx) @ Id, Vgs: 50mOhm a 4 A, 10 V

• Disipación de potencia (Máx.): 1.4 W

• Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C

• Tipo de montaje: Montaje en superficie

• Encapsulado: SOT-23-3

DOCUMENTOS:

Información Técnica