Transistor bipolar SMD PNP BC857B-DIO

ESPECIFICACIONES:

• Estilo de montaje: SMD/SMT            

• Polaridad del transistor: PNP

• Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 45 V  

• Tensión VCBO colector-base: 50 V 

• Voltaje VEBO emisor-base: 5 V

• Voltaje de saturación colector-emisor: 250 mV

• Corriente CC máxima de colector: 100 mA

• Dp - Disipación de potencia : 250 mW

• Producto para ganar Ancho de banda fT: 100 MHz           

• Temperatura de trabajo mínima: - 65 C

• Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

• Paquete / Cubierta: SOT-23-3

DOCUMENTOS:

Información Técnica