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Mosfet de potencia canal N BSP320SH6327XTSA1
Transistor MOSFET SMD TSM9435CS SOP-8 1 Canal
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple PNP 45 V 500 mA 100 MHz 310 mW Montaje en superficie SOT-23-3
Transistor S8050 J3Y bipolar epitaxial de silicio. Transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia.
El IRL540PBF es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia de encendido.
Canal N Montaje en superficie 30 V 100 mA (Ta) 200 mW (Ta) SOT-323
Canal P Montaje en superficie 30 V 4 A (Ta) 1.4W (Ta) SOT-23-3
Conjunto de transistores bipolares (BJT) NPN, PNP 50 V 150 mA 100 MHz, 190 MHz 300 mW Montaje en superficie 6-TSSOP
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BC857B/SOT23/TO-236AB