ESPECIFICACIONES:
Tipo FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 2 A
Vgs (máx.): ±16 V
Disipación de potencia (Máx.): 1 W
Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C
Tipo de montaje: SMD
Encapsulado: SOT-223
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010111
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