ESPECIFICACIONES:
Tipo FET: Canal P
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 4 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 2.5 V, 10 V
Rds On (máx) @ Id, Vgs: 50mOhm a 4 A, 10 V
Disipación de potencia (Máx.): 1.4 W
Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C
Tipo de montaje: Montaje en superficie
Encapsulado: SOT-23-3
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010130
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