IRFB3207PBF MOSFET de Potencia Canal N 75V, 170A
$84.00
Mosfet de potencia de canal N, está diseñado específicamente para lograr una resistencia en estado activo (RDS(on)) extremadamente baja de tan solo 4.5 miliolmios, lo que reduce drásticamente las pérdidas por conducción y maximiza la eficiencia térmica en sistemas de alta densidad de potencia.
ESPECIFICACIONES:
- Tipo FET: Canal N
- Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75 V
- Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 170 A
- Vgs (máx.): ±20 V
- Disipación de potencia (Máx.): 330 W
- Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C
- Tipo de montaje: TH
- Encapsulado: TO-220-3
DOCUMENTOS:
Información Técnica
Conceptos Básicos
IDSTRN0010085
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